技术参数
| 品牌： | Microsemi/美高森美 |
| 型号： | A3PE600-2FGG484I |
| 封装： | FPBGA-484 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 6000 |
| 制造商： | Microchip |
| 产品种类： | FPGA - 现场可编程门阵列 |
| RoHS： | 是 |
| 输入/输出端数量： | 270 I/O |
| 工作电源电压： | 1.5 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 85 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | FBGA |
| 高度： | 1.73 mm |
| 长度： | 23 mm |
| 系列： | A3PE600 |
| 宽度： | 23 mm |
| 栅极数量： | 600000 |
| 最大工作频率： | 310 MHz |
| 湿度敏感性： | Yes |
| 电源电压-最大： | 1.575 V |
| 电源电压-最小： | 1.425 V |
| 单位重量： | 400 mg |
高容量
•60万至300万系统闸门
•108至504 kbits的真双端口SRAM
•多达620个用户I/O
可重新编程闪存技术
•130 nm，7层金属（6铜），基于闪存的CMOS
过程
•即时0级支持
•单片解决方案
•断电时保留编程设计
片上用户非易失性存储器
•1 kbit FlashROM，带同步接口
高性能
•350 MHz系统性能
•3.3 V，66 MHz 64位PCI
系统内编程（ISP）与安全
•ISP使用片上128位高级加密标准
（AES）通过JTAG解密（符合IEEE 1532）
•FlashLock®设计用于保护FPGA内容
低功率
•低功率核心电压
•支持仅1.5伏系统
•低阻抗闪光开关
高性能路由层次结构
•分段、分层路由和时钟结构
•超高速本地和长途网络
•增强型高速超长线路网络
•高性能、低倾斜全球网络
•体系结构支持超高利用率
专业（专业）I/O
•700 Mbps DDR，支持LVDS的I/O
•1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V混合电压操作
•每个芯片最多可选择8个组的组I/O电压
•单端I/O标准：LVTTL、LVCMOS 3.3 V/
2.5伏/1.8伏/1.5伏、3.3伏PCI/3.3伏PCI-X和LVCMOS
2.5 V/5.0 V输入
•差分I/O标准：LVPECL、LVDS、B-LVDS和
M-LVDS公司
•电压参考I/O标准：GTL+2.5 V/3.3 V，GTL
2.5 V/3.3 V，HSTL I级和II级，SSTL2 I级和Ⅱ级，SSTR3
一级和二级
•输入、输出和启用路径上的I/O寄存器
•热插拔和冷插拔I/O
•可编程输出回转速率和驱动强度
•可编程输入延迟
•单端输入上的施密特触发器选项
•上拉/下拉较弱
•IEEE 1149.1（JTAG）边界扫描测试
•ProASIC®3E系列的引脚兼容封装时钟调节电路（CCC）和PLL
•六个CCC块，每个块带有一个集成PLL
•可配置相移、乘法/除法、延迟功能和外部反馈
•宽输入频率范围（1.5 MHz至350 MHz）SRAM和FIFOs
•可变纵横比4608位RAM块（×1，×2，×4，×9，和×18个可用组织）
•真正的双端口SRAM（×18除外）
•具有同步操作的24个SRAM和FIFO配置高达350 MHzProASIC3E FPGA中的ARM®处理器支持
•M1 ProASIC3E设备—提供Cortex-M1软处理器带或不带调试
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