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NVMTS0D4N04CTXG分立半导体产品-技术资料

技术参数品牌:ON(安森美)型号:NVMTS0D4N04CTXG封装:DFNW-8批号:23+数量:200000制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFNW-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:558 ARds On-漏源导通电阻:450 uOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg-栅极电荷:251 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:244 W通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101配置:Single晶体管类型:1 N- Channel商标:ON Semiconductor下降时间:76.8 ns产品类型:MOSFET上升时间:51.5 ns工厂包装数量:3000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:201 ns典型接通延迟时间:57 ns单位重量:319.280 mg...

NVMTS0D4N04CTXG.png

技术参数

品牌:ON(安森美)
型号:NVMTS0D4N04CTXG
封装:DFNW-8
批号:23+
数量:200000
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DFNW-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:558 A
Rds On-漏源导通电阻:450 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:251 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:244 W
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
配置:Single
晶体管类型:1 N- Channel
商标:ON Semiconductor
下降时间:76.8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:51.5 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:201 ns
典型接通延迟时间:57 ns
单位重量:319.280 mg

特点

•占地面积小(8x8 mm),设计紧凑

•低RDS(开启)以最大限度地减少传导损耗

•低QG和电容,最大限度地减少驱动器损耗

•Power 88封装,行业标准

•AEC−Q101合格且具备PPAP能力

•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR且符合RoHS顺从的


400-900-8098
工作时间:09:00 - 17:00
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