AIMW120R045M1汽车半导体功率器件规格参数

CoolSiC™ 汽车系列MOSFET已开发用于混合动力和电动汽车中当前和未来的车载充电器和DC-DC应用。

AIMW120R045M1是专为满足汽车工业对可靠性、质量和性能的高要求而设计的。

使用CoolSiC提高转换器的开关频率™ MOSFET可以使磁性组件的体积和重量大幅减少25%，从而显著增加应用本身的成本。性能的提高符合电动汽车更高效率要求方面的新法规标准。卓越的栅极氧化物可靠性以及同类最佳的Infineon SiC Quality Extension保证了非常长的安全寿命，甚至可以满足非常苛刻的任务要求。进一步的特征，如1200V开关中最低的栅极电荷和器件电容水平、内部防换向体二极管无反向恢复损耗、温度无关的低开关损耗和无阈值导通状态特性，保证了应用设计中的无干扰设计和易于控制的应用设计。

功能概述
革命性半导体材料-碳化硅
极低的开关损耗
无阈值开启状态特性
IGBT兼容驱动电压（15V用于接通）
0V关断栅极电压
基准栅极阈值电压，VGS（th）=4.5V
完全可控dv/dt
换向坚固的体二极管，可用于同步整流
与温度无关的关断开关损耗

好处
提高效率
启用更高频率
提高功率密度
减少冷却工作量
降低系统复杂性和成本