品牌: | Cypress(赛普拉斯) |
型号: | CY7C1418KV18-250BZXC |
封装: | FBGA-165 |
批号: | 21+ |
数量: | 6000 |
制造商: | Cypress Semiconductor |
产品种类: | 静态随机存取存储器 |
RoHS: | 是 |
存储容量: | 36 Mbit |
最大时钟频率: | 250 MHz |
接口类型: | Parallel |
电源电压-最大: | 1.9 V |
电源电压-最小: | 1.7 V |
电源电流—最大值: | 430 mA |
最小工作温度: | 0 C |
最大工作温度: | + 70 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | FBGA-165 |
存储类型: | SDR |
系列: | CY7C1418KV18 |
湿度敏感性: | Yes |
CY7C1418KV18和CY7C1420KV18是配备DDR II架构的1.8V同步流水线SRAM。DDR II由一个带有高级同步外围电路的SRAM内核和一个1位突发计数器组成。用于读取和写入的地址被锁存在输入(K)时钟的交替上升沿上。写入数据被记录在K和K的上升沿上。读取数据被驱动在C和C的上升沿(如果提供)上,或者在K和K的上升沿,如果没有提供C/C。在CY7C1418KV18和CY7C142KV18上,突发计数器取外部地址的最低有效位,并在CY7C1148KV18的情况下突发两个18位字,在CY7C442KV18的情形下突发两两个36位字,顺序地进入或离开设备。异步输入包括输出阻抗匹配输入(ZQ)。同步数据输出(Q,与数据输入D共享相同的物理引脚)与两个输出回波时钟CQ/CQ紧密匹配,消除了在系统设计中从每个单独的DDR SRAM单独捕获数据的需要。输出数据时钟(C/C)可实现最大的系统时钟和数据同步灵活性。所有同步输入通过由K或K个输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出都通过由C或C(或单个时钟域中的K或K)输入时钟控制的输出寄存器。使用片上同步自定时写入电路进行写入。有关相关文档的完整列表,请单击此处。