技术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | NVHL080N120SC1 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 15000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1200 V |
| Id-连续漏极电流： | 44 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 162 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 15 V, 25 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.8 V |
| Qg-栅极电荷： | 56 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 348 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Single |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 13 S |
| 下降时间： | 8 ns |
| 上升时间： | 5.8 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 28 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6.2 ns |
| 单位重量： | 5.457 g |
描述
碳化硅（SiC）MOSFET采用全新技术提供优异的开关性能和更高的可靠性与硅相比。此外，低导通电阻和紧凑芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。因此系统的优点包括最高效率、更快的操作频率、，增加了功率密度，减少了EMI，并减小了系统尺寸。
特征
•1200 V@TJ=175°C
•最大RDS（开）=110 m，VGS=20 V，ID=20 A
•低电容高速开关
•100%UIL测试
•符合AEC的汽车资格−问题101
•这些设备为铅−免费且符合RoHS标准
应用
•汽车辅助电机驱动
•车载车载充电器
•用于EV/HEV的汽车DC/DC转换器
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