技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IPB120P04P4L-03 |
| 封装： | 原厂原装 |
| 批次： | 2021+ |
| 数量： | 9000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 4.9 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 4.5 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 180 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 136 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 4.4 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 系列： | OptiMOS-P2 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 9.25 mm |
| 下降时间： | 57 ns |
| 上升时间： | 16 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 85 ns |
| 典型接通延迟时间： | 21 ns |
| 零件号别名： | IPB120P04P4L03ATMA1 SP000842284 IPB12P4P4L3XT IPB120P04P4L03ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
特征描述
- P 通道 - 逻辑电平 - 增强模式
- AEC 认证
- MSL1 峰值回流温度高达 260°C
- 175°C 的工作温度
- 环保封装（符合 RoHS）
- 100% 经过雪崩测试
优势
- 高边驱动无需电荷泵
- 简单的接口驱动电路
- 40V 时， RDSon 为世界极低值
- 极高的冲击电流能力
- 极低的开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率
- 稳固的封装，出色的品质，高可靠性
- 标准封装 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262
潜在应用
- 用于电机桥的高边 MOSFET（半桥、H 桥、三相电机）
采用40V P 通道作为高边器件，无需电荷泵即可实现桥配置
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