技术参数
品牌: | Infineon/英飞凌 |
型号: | IPB120P04P4-04 |
封装: | TO-263 |
批次: | 21+ |
数量: | 80000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PG-TO-263-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 120 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 3.8 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 158 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 136 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
高度: | 4.4 mm |
长度: | 10 mm |
系列: | OptiMOS-P2 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 9.25 mm |
下降时间: | 52 ns |
上升时间: | 20 ns |
典型关闭延迟时间: | 49 ns |
典型接通延迟时间: | 30 ns |
零件号别名: | IPB120P04P404ATMA1 SP000842270 IPB12P4P44XT IPB120P04P404ATMA1 |
单位重量: | 4 g |
特征描述
- P 通道 - 正常电平 - 增强模式
- AEC 认证
- MSL1 峰值回流温度高达 260°C
- 175°C 的工作温度
- 环保封装(符合 RoHS)
- 100% 经过雪崩测试
优势
- 高边驱动无需电荷泵。
- 简单的接口驱动电路
- 40V 时, RDSon 为世界极低值
- 极高的冲击电流能力
- 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
- 稳固的封装,出色的品质,高可靠性
- 标准封装 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262
潜在应用
- 用于电机桥的高边 MOSFET(半桥、H 桥、三相电机)
- 采用40V P 通道作为高边器件,无需电荷泵即可实现桥配置