技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | AUIRFS4127TRL |
| 封装： | TO263 |
| 批次： | 2130+ |
| 数量： | 431 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 72 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 22 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 5 V |
| Qg-栅极电荷： | 150 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 375 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Single |
| 高度： | 4.4 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 宽度： | 9.25 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 79 S |
| 下降时间： | 22 ns |
| 上升时间： | 18 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 56 ns |
| 典型接通延迟时间： | 17 ns |
| 零件号别名： | AUIRFS4127TRL SP001518830 |
| 单位重量： | 2.200 g |
特征
先进工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
允许重复雪崩达Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
专为汽车应用而设计HEXFET®功率MOSFET采用最新工艺实现每硅极低导通电阻的技术地区该设计的其他特点是175°C接头工作温度、快速切换速度和改进重复的雪崩评级。这些特征结合在一起这种设计是一种非常有效和可靠的设备，用于汽车应用和各种其他应用。
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