AIKW50N65RF5汽车功率器件绝缘栅双极晶体管中文资料

电子移动应用的THD封装中的混合功率分立和SiC功率技术

冷却SiC™ 肖特基二极管可为快速开关汽车应用（如车载充电器、PFC、DC-DC和DC-AC）提供经济高效的性能提升。

一流的快速开关IGBT与非常可靠的SiC二极管的结合为硬开关拓扑结构提供了完美的性价比权衡。由于无Qrr单极CoolSiC™ 肖特基二极管，IGBT的Eon将比纯硅解决方案显著降低。这使得混合动力成为系统成本敏感的硬换向应用的首选，例如车载充电器应用中的图腾极拓扑。这为活动中的低复杂度设计带来了更好的裕度。

特征描述
650V沟挡™ 5 IGBT+冷却SiC™ 肖特基二极管Gen5
同类最佳的开关和传导损耗
无反向和正向回收费用
高工作温度：Tj，最大=175°C
抗浪涌电流
低栅极电荷Qg可从15A到50A

优势
环境条件下的最高可靠性
提高系统效率
硬交换拓扑的最佳性能/成本比（例如Totem Pole）
支持双向车载充电器设计

应用
车载充电器
功率因数校正
直流-直流