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HMC425LP3E射频/中频和 RFID衰减器规格参数

特征0.5 dB LSB步长至31.5 dB每位单个控制线0.5 dB典型位误差单+5V电源3x3 mm SMT封装HMC425LP3和HMC425LP 3E为宽带低成本无铅6位GaAs IC数字衰减器表面安装包。覆盖2.2至8.0 GHz,插入损耗通常小于3.8dB。这个衰减器位值为0.5(LSB)、1、2、4、8和总衰减为31.5 dB时为16 dB。衰减在0.5 dB的典型步进误差下,精度极...

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特征

0.5 dB LSB步长至31.5 dB
每位单个控制线
±0.5 dB典型位误差
单+5V电源
3x3 mm SMT封装


HMC425LP3和HMC425LP 3E为宽带低成本无铅6位GaAs IC数字衰减器表面安装包。覆盖2.2至8.0 GHz,插入损耗通常小于3.8dB。这个衰减器位值为0.5(LSB)、1、2、4、8和总衰减为31.5 dB时为16 dB。衰减在±0.5 dB的典型步进误差下,精度极佳IIP3为+40 dBm。六个控制电压输入,在0和+3到+5V之间切换,用于选择每个衰减状态。单个Vdd偏置为+3至+5V是必需的。


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