1200 V Silicion Carbide 肖特基二极管, DPAK real2pin 封装
采用 DPAK real2pin 封装的 1200V, 2A 第五代CoolSiC™ 肖特基二极管 为碳化硅肖特基势垒二极管提供了先进的技术。英飞凌在第二代产品推出时就已引入薄晶圆技术，现在与新的合并 pn 结结合使用，改善了二极管的浪涌能力。 因此开发出了一系列产品，以极具吸引力的成本提供了市场领先的效率、以及更高的系统稳定性。
特征描述
- 业内出色的正向电压(VF)
- 无反向恢复电荷
- Vf 的轻度正温度依赖性
- 业内出色的冲击电流能力
- 优异的热性能
优势
- 高系统效率
- 在低开关频率下实现更高的系统效率
- 在高开关频率下实现更高的功率密度
- 提高系统可靠性
- 降低电磁干扰
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 电机控制和驱动
- 太阳能系统解决方案
指标参数
| Parametrics | IDM02G120C5 |
|---|---|
| I(FSM) max | 37 A |
| IF max | 2 A |
| IR | 1.2 µA |
| Ptot max | 98 W |
| Package | DPAK (TO-252-2) |
| QC | 14 nC |
| Qualification | Industrial |
| RthJC | 1.2 K/W |
| VDC min | 1200 V |
| VF | 1.4 V |
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