采用 D2PAK 7引脚封装的OptiMOS™5 100V功率MOSFET，R DS（on）降低22％ ，适用于电信和服务器电源应用
英飞凌的OptiMOS™5 100V功率MOSFET IPB020N10N5专为通信模块中的同步整流而设计，包括Or-ing，hotswap和电池保护以及服务器电源应用。与同类器件相比，该器件的R DS（on）降低22％，出色的FOM带来的贡献便是低导通电阻，它提供了高水平的功率密度和效率。
特征描述
- 针对同步整流进行优化
- 非常适合高开关频率
- 输出电容降低高达 44%
- 与前一代相比降低高达 43%
优势
- 高系统效率
- 降低开关和通态损耗
- 减少并联
- 增加功率密度
- 低电压过冲
潜在应用
- 通信
- 服务器
- 太阳能
- 低压驱动器
- 轻型电动车
- 适配器
指标参数
| Parametrics | IPB020N10N5 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 2.91 |
| Ciss | 12000 pF |
| Coss | 1810 pF |
| ID (@25°C) max | 176 A |
| IDpuls max | 480 A |
| Mounting | SMD |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot max | 375 W |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Pin Count | 3 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 168 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 2 mΩ |
| Rth | 0.4 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 0.4 K/W |
| VDS max | 100 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2.2 V 3.8 V |
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