技术参数
品牌: | IXYS |
型号: | IXDN609SIA |
封装: | * |
数量: | 10000 |
类别: | 集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器 |
制造商: | IXYS Integrated Circuits Division |
驱动配置: | 低端 |
通道类型: | 单路 |
驱动器数: | 1 |
栅极类型: | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET |
电压 - 供电: | 4.5V ~ 35V |
逻辑电压 - VIL,VIH: | 0.8V,3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): | 9A,9A |
输入类型: | 非反相 |
上升/下降时间(典型值): | 22ns,15ns |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
描述:
IXDD609/XD1609/IXDN609高速门驱动器特别适用于驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。IXD 609高电流输出可以产生9A的峰值电流,同时产生小于25ns的电压上升和下降时间。输入是CMOS兼容的,并且几乎不受拉升的影响。专有电路消除了交叉传导和电流“击穿”。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使IXD 809系列成为高频和高功率应用的理想选择。XDD809被配置为带使能的非反相驱动器,IXDN809被配置为非反相驱动器和[XD1809被配置为反相驱动器。IXD 609系列有标准的8针DIP(Pl);8引脚solC(SIA);具有暴露的金属背的8引脚功率solC(Sl):8引脚DFN(D2);a5引脚TO-263(Yl);以及5引脚TO-220(CI)。