术参数
| 品牌： | Onsemi |
| 型号： | FDS6612A |
| 封装： | stock |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 1000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 8.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 19 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.75 mm |
| 长度： | 4.9 mm |
| 系列： | FDS6612A |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 3.9 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 30 S |
| 下降时间： | 3 ns |
| 上升时间： | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 22 ns |
| 典型接通延迟时间： | 7 ns |
| 零件号别名： | FDS6612A_NL |
| 单位重量： | 130 mg |
一般说明：
此N沟道逻辑电平MOSFET使用ON Semiconductor的先进的PowerTrench工艺特别适合将导通电阻降至最低并且仍然保持优异的切换性能。这些设备非常适合低电压和电池供电的应用，其中低在线需要功率损耗和快速切换。
特征：
•8.4安，30伏RDS(开)=22米Ω @ VGS=10伏RDS(开启)=30米Ω @ VGS=4.5伏
•切换速度快
•低栅极电荷
•高性能沟槽技术RDS低(打开)
•高功率和高电流处理能力
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