技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NTR5103NT1G |
| 封装： | N/A |
| 批号： | N/A |
| 数量： | 27320 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | onsemi |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 260mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 2.5 欧姆 @ 240mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 2.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 0.81 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）： | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 40 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值）： | 300mW（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
特征：
•低RDS（打开）
•占地面积小的表面安装封装
•沟槽技术
•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR，并且符合RoHS顺从的
应用：
•低侧负载开关
•电平移位电路
•直流-直流转换器
•便携式应用程序，如DSC、PDA、手机等
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