技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NTZD3155CT1G |
| 封装： | SOT363 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 150 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 制造商： | onsemi |
| FET 类型： | N 和 P 沟道 |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）： | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 540mA，430mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大值： | 250mW |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
特征：
•领先的低RDS（开启）性能沟槽技术
•高效系统性能
•低阈值电压
•ESD保护门
•占地面积小1.6 x 1.6 mm
•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR，并且符合RoHS顺从的
应用：
•直流-直流转换电路
•带电平转换的负载/电源切换
•单电池或双电池锂离子电池操作系统
•高速电路
•手机、MP3、数码相机和PDA
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