技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IRLML5203TRPBF |
| 封装： | SOT-23 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 99999 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 3 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 165 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| Qg-栅极电荷： | 9.5 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.25 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 1.3 mm |
| 单位重量： | 8 mg |
描述：这些P沟道MOSFET电路采用了先进的预处理技术，以实现每硅面积的极限lawan电阻。这一优势为设计人员提供了一种极为高效的设备，广泛用于电池和负载管理应用。标准SOT-23封装中加入了热增强大焊盘引线框，以生产出业界占地面积最小的HEXFET功率MOSFET。该封装被称为Micro3t，非常适合印刷电路板空间昂贵的应用。Micro3的低尺寸（<1.1mm）使其能够轻松适应便携式电子和PCMClA卡等极薄的应用环境。热阻和功耗是最好的。
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