技术参数
| 品牌： | INFINEON 英飞凌 |
| 型号： | AUIRS2301STR |
| 封装： | SOP8 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 2500 |
| 类别： | 集成电路（IC） PMIC - 栅极驱动器 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | Automotive, AEC-Q100 |
| 驱动配置： | 半桥 |
| 通道类型： | 独立式 |
| 驱动器数： | 2 |
| 栅极类型： | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电： | 5V ~ 20V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH： | 0.8V，2.5V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： | 200mA，350mA |
| 高压侧电压 - 最大值（自举）： | 600 V |
| 上升/下降时间（典型值）： | 130ns，50ns |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
凌AUIRS2301S是一种高电压，高速功率MOSFET和独立的高，低侧参考输出通道1GBT驱动器。专有HVIC和锁存免疫CMO技术实现坚因耐用的整体结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至.3V逻辑电路输出驱动摆具有高脉冲电流buler级。浮沟道可用于整动N沟道功率MOSFET或IGT的高边配置，其工作电压高达600V
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