技术参数
| 品牌： | ON 安森美 |
| 型号： | FQB19N20CTM |
| 封装： | D2PAK |
| 批号： | 20+ |
| 数量： | 8000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 19 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 170 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 3.13 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 4.83 mm |
| 长度： | 10.67 mm |
| 系列： | FQB19N20C |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.65 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 10.8 S |
| 下降时间： | 115 ns |
| 上升时间： | 150 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 135 ns |
| 典型接通延迟时间： | 15 ns |
| 零件号别名： | FQB19N20CTM_NL |
| 单位重量： | 1.312 g |
描述
这种N通道增强模式功率MOSFET是利用Fairchild半导体公司专有的平面条纹和DMOS技术来实现的这种先进的MOSFET技术特别适合于降低状态电阻并提供优越的开关性能和高的雪崩能量强度。适用于开关电源、有源功率因数校正(Pfc)和电子镇流器
在线客服
