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FDD18N20LZ开关电源转换器-行业资讯

技术参数品牌:ON/安森美型号:FDD18N20LZ封装:TO-252批号:21+数量:7500制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:16 ARds On-漏源导通电阻:125 mOhms最小工作...

FDD18N20LZ.png

技术参数

品牌:ON/安森美
型号:FDD18N20LZ
封装:TO-252
批号:21+
数量:7500
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续漏极电流:16 A
Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:89 W
配置:Single
高度:2.39 mm
长度:6.73 mm
系列:FDD18N20LZ
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:6.22 mm
单位重量:260.370 mg
描述:UniFET MOSFET是ON半导体公司基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET家族。这种MOSFET是为了降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而定制的。该设备系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)TVpower、ATX和电子灯镇流器。

特征:

•在VGS=10 V,ID=8 A时,RDS(开)=125 m(典型)

•低栅极电荷(典型值30 nC)

•低CRSS(典型值25 pF)

•100%雪崩测试

•提高dv/dt能力

•ESD改进能力

•这些设备不含铅,符合RoHS标准

应用:

•LED电视

•家用电器

•不间断电源


400-900-8098
工作时间:09:00 - 17:00
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