技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | FDD18N20LZ |
封装: | TO-252 |
批号: | 21+ |
数量: | 7500 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 200 V |
Id-连续漏极电流: | 16 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 125 mOhms |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 89 W |
配置: | Single |
高度: | 2.39 mm |
长度: | 6.73 mm |
系列: | FDD18N20LZ |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
单位重量: | 260.370 mg |
特征:
•在VGS=10 V,ID=8 A时,RDS(开)=125 m(典型)
•低栅极电荷(典型值30 nC)
•低CRSS(典型值25 pF)
•100%雪崩测试
•提高dv/dt能力
•ESD改进能力
•这些设备不含铅,符合RoHS标准
应用:
•LED电视
•家用电器
•不间断电源