技术参数
品牌: | FUJITSU/富士通 |
型号: | MB85RS64VPNF-G-JNERE1 |
批号: | 21+ |
数量: | 16883 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS2)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 3(168 小时) |
类别: | 集成电路(IC) |
产品族: | 存储器 |
存储器类型: | 非易失 |
存储器格式: | FRAM |
存储容量: | 64Kb (8K x 8) |
存储器接口: | SPI |
时钟频率: | 20MHz |
电压 - 电源: | 3V ~ 5.5V |
工作温度: | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
描述:
MB85RS64V是一款FRAM (铁电随机存取存储器)芯片,配置为8,192字X8位,使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储器单元。85RS64V采用串行外设接口 (SPI)。该MB85RS64V是能够保留数据,而不使用备份电池,因为是需要为SRAM在MB85RS64V使用的存储器单元可用于1012读/写操作,这一个超过读写由闪存和EPROMMB85RS64V支持的操作数量显着改善不需要很长时间来写像闪存或EPROM数据,MB85RS64V不需要等待时间。