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MB85RS64VPNF-G-JNERE1集成电路(IC)存储器-技术参数

技术参数品牌:FUJITSU/富士通型号:MB85RS64VPNF-G-JNERE1批号:21+数量:16883对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS2)规范要求湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)类别:集成电路(IC)产品族:存储器存储器类型:非易失存储器格式:FRAM存储容量:64Kb (8K x 8)存储器接口:SP...

MB85RS64VPNF-G-JNERE1.png

技术参数

品牌:FUJITSU/富士通
型号:MB85RS64VPNF-G-JNERE1
批号:21+
数量:16883
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS2)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)
类别:集成电路(IC)
产品族:存储器
存储器类型:非易失
存储器格式:FRAM
存储容量:64Kb (8K x 8)
存储器接口:SPI
时钟频率:20MHz
电压 - 电源:3V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:

MB85RS64V是一款FRAM (铁电随机存取存储器)芯片,配置为8,192字X8位,使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储器单元。85RS64V采用串行外设接口 (SPI)。该MB85RS64V是能够保留数据,而不使用备份电池,因为是需要为SRAM在MB85RS64V使用的存储器单元可用于1012读/写操作,这一个超过读写由闪存和EPROMMB85RS64V支持的操作数量显着改善不需要很长时间来写像闪存或EPROM数据,MB85RS64V不需要等待时间。

    


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