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IPW60R165CP沟道功率MOSFET晶体管-型号参数

技术参数品牌:INFINEON型号:IPW60R165CP封装:TO-247批号:21+数量:44820制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:21 ARds On-漏源导通电阻:165 mOhmsVgs...

IPW60R165CP.png

技术参数

品牌:INFINEON
型号:IPW60R165CP
封装:TO-247
批号:21+
数量:44820
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:21 A
Rds On-漏源导通电阻:165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:192 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
高度:21.1 mm
长度:16.13 mm
系列:CoolMOS CE
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:5.21 mm
下降时间:5 ns
上升时间:5 ns
典型关闭延迟时间:50 ns
典型接通延迟时间:12 ns
零件号别名:IPW60R165CPFKSA1 SP000095483 IPW6R165CPXK IPW60R165CPFKSA1
单位重量:38 g
IPW60R165CP是一款N沟道功率MOSFET晶体管,具有以下参数:
  • 额定电压(Vds):600V

  • 额定电流(Id):60A

  • 静态导通电阻(Rds(on)):0.165Ω

  • 最大功率耗散(Pd):350W

  • 门源电压(Vgs(th)):2-4V

IPW60R165CP主要应用于高功率开关应用,如电源逆变器、电机驱动器、电动车充电器等。其低导通电阻和高耐压能力使其适合在高电压和高电流环境下工作。此外,该晶体管还具有快速开关速度和低开关损耗,可提高系统效率和可靠性。

需要注意的是,在使用IPW60R165CP时,应根据数据手册提供的电路设计指南和工作条件来选择合适的驱动电路和散热方案,以确保晶体管正常工作并避免过热损坏。



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