DS1270W-100IND存储器集成电路IC-型号参数

描述DS1270W 16Mb非易失性（NV）SRAM是16777216位的全静态NV SRAM，组织为2097152个字乘8位。每个NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路，该电路不断监测VCC的超差情况。当出现这种情况时，锂能源会自动开启，并无条件启用写保护，以防止数据损坏。可以执行的写入周期的数量没有限制，微处理器接口也不需要额外的支持电路。

读取模式每当WE（写入使能）处于非激活状态（高电平），CE（芯片使能）和OE（输出使能）为激活状态（低电平）时，DS1270设备执行读取周期。21个地址输入（A0–A20）指定的唯一地址定义了访问2097152字节数据中的哪一个。在最后一个地址输入信号稳定后，只要CE和OE（输出启用）访问时间也满足，有效数据将在tACC（访问时间）内提供给八个数据输出驱动器。如果不满足OE和CE访问时间，则必须从随后出现的信号（CE或OE）测量数据访问，并且限制参数是CE的tCO或OE的tOE，而不是tACC。

写入模式在地址输入稳定后，每当WE和CE信号激活（低）时，DS1270设备就会执行写入周期。随后出现的CE或WE的下降沿将决定写入周期的开始。写入周期由CE或WE的较早上升沿终止。所有地址输入必须在整个写入周期内保持有效。WE必须在最短恢复时间（tWR）内返回高状态，然后才能启动另一个循环。OE控制信号应在写入周期期间保持不活动（高），以避免总线争用。但是，如果输出驱动器被启用（CE和OE激活），则WE将从其下降沿禁用tDW中的输出。