| 品牌： | MICRON/镁光 |
| 型号： | MT45W1MW16PDGA-70 IT |
| 封装： | FBGA |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 8207 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 3（168 小时） |
| 类别： | 集成电路（IC） |
| 产品族： | 存储器 |
| 系列： | - |
| 存储器类型： | 易失 |
| 存储器格式： | PSRAM |
| 存储容量： | 16Mb （1M x 16） |
| 存储器接口： | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页： | 70ns |
| 访问时间： | 70ns |
| 电压 - 电源： | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C（TC） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 48-VFBGA |
Micron®CellularRAM™ 产品是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS PSRAM存储设备。MT45W1MW16PD是一个16Mb DRAM核心器件，组织为1Meg x 16位。这些设备包括其他低功耗SRAM或伪SRAM产品中的行业标准异步内存接口。用户可访问配置寄存器（CR）定义CellularRAM设备如何执行芯片上刷新以及是否允许页面模式读取访问。此寄存器在通电期间自动加载默认设置，并且可以在正常操作期间随时更新。为了在异步内存总线上无缝操作，CellularRAM产品结合了透明的自刷新机制。隐藏刷新不需要系统内存控制器的额外支持，并且对设备读/写性能没有显著影响。特别关注的是自我刷新期间的电流消耗。CellularRAM产品包括三种系统可访问机制，以最大限度地减少刷新电流。温度补偿刷新（TCR）使用片上传感器来调整刷新率以匹配设备温度。刷新率在较低的温度下降低，以最大限度地减少待机期间的电流消耗。TCR也可以由系统设置为最高设备温度+85°C、+45°C和+15°C。将sleep enable（ZZ#）设置为LOW可启用两种低功耗模式之一：部分阵列刷新（标准杆数）或深度断电（DPD）。标准杆数将刷新仅限于DRAM阵列中包含基本数据的部分。DPD完全停止刷新操作，并在设备中未存储重要信息时使用。这三种刷新机制是通过CR访问的。
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