技术参数
| 品牌： | Microchip(微芯) |
| 型号： | SST39WF800B-70-4I-B3KE |
| 封装： | TFBGA-48 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | Microchip |
| 产品种类： | NOR闪存 |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TFBGA-48 |
| 系列： | SST39WF |
| 存储容量： | 8 Mbit |
| 接口类型： | Parallel |
| 定时类型： | Asynchronous |
| 数据总线宽度： | 16 bit |
| 电源电压-最小： | 1.65 V |
| 电源电压-最大： | 1.95 V |
| 电源电流—最大值： | 15 mA |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 85 C |
| 存储类型： | NOR |
| 速度： | 70 ns |
| 结构： | Sector |
| 湿度敏感性： | Yes |
SST39WF800B是一款512K x16 CMOS多用途闪存(MPF)，采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。SST39WF800B使用1.65-1.95V电源进行写入(编程或擦除)。该设备符合用于x16存储器的JEDEC标准引脚分配。
SST39WF800B具有高性能的Word编程功能，可提供28 usec的典型Word编程时间。lt使用切换位或数据#f轮询来检测编程或擦除操作的完成。片上硬件和软件数据保护方案可防止无意写入。SST39WF800B专为各种应用而设计、制造和测试，保证了100000次循环的典型耐久性。数据保留期被评定为超过100年。
SST39WF800B适用于需要方便经济地更新程序、配置或数据存储器的应用。它显著提高了所有系统应用程序的性能和可靠性，同时降低了功耗。与其他闪存技术相比，它在擦除和编程过程中固有地消耗更少的能量。当对闪存设备进行编程时，所消耗的总能量是所施加的电压、电流和施加时间的函数。对于任何给定的电压范围，SuperFlash技术使用更少的电流进行编程，并且具有更短的擦除时间;因此，在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量都小于替代闪存技术。这些设备还提高了灵活性，同时降低了程序、数据和确认存储应用程序的成本。
SuperFlash技术提供固定的擦除和编程时间，与已发生的擦除/编程周期的数量无关。因此，系统软件或硬件不必根据替代闪存技术的需要进行修改或降级，其擦除和编程次数随着累积的擦除/程序周期而增加。
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