IR2183STRPBF高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器-型号参数
技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：IR2183STRPBF封装：SOP8批号：21+数量：7500制造商：Infineon产品种类：门驱动器RoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：SOIC-8激励器数量：2 Driver输出端数量：2 Output输出电流：1.9 A电源电压-最小：10 V电源电压-最大：20 V上升时间：60 ns下降时间：35 ns最小工作温度：- 40 C最大工作温度：+ 125 C特点：Synchronous高度：1.5 mm长度：5 mm宽度：4 mm逻辑类型：CMOS, TTL传播延迟—最大值：330 ns最大关闭延迟时间：220 ns最大开启延迟时间：180 ns湿度敏感性：Yes工作电源电流：1.6 mAPd-功率耗散：625 mW单位重量：540 mg...
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IR2183STRPBF |
| 封装： | SOP8 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 7500 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | 门驱动器 |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-8 |
| 激励器数量： | 2 Driver |
| 输出端数量： | 2 Output |
| 输出电流： | 1.9 A |
| 电源电压-最小： | 10 V |
| 电源电压-最大： | 20 V |
| 上升时间： | 60 ns |
| 下降时间： | 35 ns |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 125 C |
| 特点： | Synchronous |
| 高度： | 1.5 mm |
| 长度： | 5 mm |
| 宽度： | 4 mm |
| 逻辑类型： | CMOS, TTL |
| 传播延迟—最大值： | 330 ns |
| 最大关闭延迟时间： | 220 ns |
| 最大开启延迟时间： | 180 ns |
| 湿度敏感性： | Yes |
| 工作电源电流： | 1.6 mA |
| Pd-功率耗散： | 625 mW |
| 单位重量： | 540 mg |
IR2183（4）（S）是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了加固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其操作高达600伏。
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