技术参数
| 品牌： | Infineon(英飞凌) |
| 型号： | IPT60R055CFD7 |
| 封装： | SMD |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 10000 |
| RoHS： | 是 |
| 产品种类： | 电子元器件 |
| 最小工作温度： | -30C |
| 最大工作温度： | 90C |
| 最小电源电压： | 4V |
| 最大电源电压： | 7V |
| 长度： | 8.5mm |
| 宽度： | 5.6mm |
| 高度： | 2mm |
MOSFET晶体管600VCoolMOSªCFD7功率晶体管正向电阻™高压电源的革命性技术MOSFET，根据超级结(SJ)原理设计由创新技术提出。保持冷却MOS™CFD7是CoolMOS的继任者™CFD2系列和三个优化平台详细介绍了移相全桥等开关应用的目标(ZVS)和LLC。由降低的电荷(Qg)产生，同类最佳反向恢复充电(Qrr)和改进的关闭行为CoolMOS™CFD7在相关拓扑中提供了最高的效率这款新产品系列具有以下所有优点快速切换技术与卓越的硬交换鲁棒性，在没有牺牲的情况下实现设计过程
特点：
- 超快速体二极管
- 低充电
- 同类最佳反向恢复充电(Qrr)
- 改进了MOSFET反向放电v/d和diF/d的坚固性
- 最低FOMRDS(开)*QgandRDS(开的)*Eoss
- SMD和THD封装中的同类最佳RDS(on)
好处：
- 卓越的硬突变坚固性
- 谐振拓扑的高可靠性
- 高效率与卓越的易用性/性能权衡
- 实现更高的功率密度解决方案
潜在应用：
适用于软切换到策略优化的移相全桥(ZVS)、LLC应用程序-服务器，电信、电动汽车充电
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