技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | MMUN2112LT1G |
| 封装： | SOT-23 |
| 批号： | 0715+PB |
| 数量： | 300 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | 双极晶体管 - 预偏置 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Single |
| 晶体管极性： | PNP |
| 典型输入电阻器： | 22 kOhms |
| 典型电阻器比率： | 1 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 60 |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 50 V |
| 集电极连续电流： | 0.1 A |
| 峰值直流集电极电流： | 100 mA |
| Pd-功率耗散： | 246 mW |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 系列： | MMUN2112L |
| 直流电流增益 hFE 最大值： | 60 |
| 高度： | 0.94 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 宽度： | 1.3 mm |
| 单位重量： | 8 mg |
这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻器偏置网络。偏置电阻器晶体管（BRT）包含具有单片偏置的单个晶体管由两个电阻器组成的网络；一个串联基极电阻器和一个基极−发射极电阻器。快速公交系统通过将它们集成到单个设备中。快速公交的使用可以减少系统成本和板空间。
特点：
•简化电路设计
•减少板空间
•减少组件数量
•汽车和其他需要的应用程序的S和NSV前缀独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101合格和PPAP能力
•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR且符合RoHS顺从的
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