技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | NVMFS5C628NLAFT1G |
| 封装： | SOP8 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 3000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8FL |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 150 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 52 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 110 W, 3.7 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Single |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 110 S |
| 下降时间： | 8.5 ns |
| 上升时间： | 55 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 37 ns |
| 典型接通延迟时间： | 10 ns |
| 单位重量： | 107.200 mg |
NVMFS5C628NLAFT1G 是 ON Semiconductor（安森美半导体）公司的一款 N-沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的型号。
概述： NVMFS5C628NLAFT1G 是一款高性能的 N-沟道 MOSFET，适用于功率开关和电源管理等应用。它具有低导通电阻和快速开关特性，可实现高效的功率转换和控制。
特点：
- 低导通电阻：NVMFS5C628NLAFT1G 具有低导通电阻特性，能够在导通状态下减小功率损耗，提高能量效率。
- 高开关速度：该器件具有快速的开关速度，可实现高频率开关操作，适用于要求快速响应和高效率的应用。
- 高温工作能力：NVMFS5C628NLAFT1G 具有良好的高温工作能力，适用于高温环境下的应用需求。
- 低输入和输出电容：该器件具有低输入和输出电容，有助于减小开关损耗和提高系统响应速度。
- 保护功能：NVMFS5C628NLAFT1G 集成了过温保护和过电流保护等功能，可提供对电路和器件的保护。
- 封装形式：该器件采用表面贴装封装形式，方便与其他电子元件进行集成和焊接。
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