技术参数
| 品牌： | FUJITSU/富士通 |
| 型号： | MB85RS64VPNF-G-JNERE1 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 16883 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS2)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 3（168 小时） |
| 类别： | 集成电路（IC） |
| 产品族： | 存储器 |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 存储器格式： | FRAM |
| 存储容量： | 64Kb （8K x 8） |
| 存储器接口： | SPI |
| 时钟频率： | 20MHz |
| 电压 - 电源： | 3V ~ 5.5V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
描述：
MB85RS64V是一款FRAM (铁电随机存取存储器)芯片，配置为8，192字X8位，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储器单元。85RS64V采用串行外设接口 (SPI)。该MB85RS64V是能够保留数据，而不使用备份电池，因为是需要为SRAM在MB85RS64V使用的存储器单元可用于1012读/写操作，这一个超过读写由闪存和EPROMMB85RS64V支持的操作数量显着改善不需要很长时间来写像闪存或EPROM数据，MB85RS64V不需要等待时间。
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