技术参数
| 品牌： | ON安森美 |
| 型号： | HGT1S10N120BNST |
| 封装： | TO-263AB-3 |
| 批号： | 2308+ |
| 数量： | 17110 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 |
| 制造商： | onsemi |
| IGBT 类型： | NPT |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： | 80 A |
| 功率 - 最大值： | 298 W |
| 开关能量： | 320µJ（开），800µJ（关） |
| 输入类型： | 标准 |
| 栅极电荷： | 100 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值： | 23ns/165ns |
| 测试条件： | 960V，10A，10 欧姆，15V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
HGTG10N120BN、HGTP10N120BN和HGT1S10N120BN是非穿孔（NPT）IGBT设计。它们是MOS门控高压开关IBT家族的新成员。IGBT结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。IGBT是许多在中等频率下工作的高电压开关应用的理想选择，其中低传导损耗是必不可少的，例如交流和直流电机控制、电磁阀、继电器和接触器的电源和驱动器。以前为开发型TA49290。
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