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CY62148ELL-45ZSXI集成电路(IC) 存储器-技术资料

技术参数品牌:Cypress(赛普拉斯)型号:CY62148ELL-45ZSXI封装:TSOP-32批号:21+数量:6000类别:集成电路(IC) 存储器制造商:Cypress Semiconductor Corp系列:MoBL®Product Status:在售存储器类型:易失存储器格式:SRAM存储容量:4Mb(512K x 8)存储器接口:并联写周期时间 - 字,页:45ns访问时间:45 ns电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V工作温度:-40C ~ 85C(TA)安装类型:表面贴装型封装/外壳:32-SOIC(0.400",10.16mm 宽)...

CY62148ELL-45ZSXI.png

技术参数

品牌:Cypress(赛普拉斯)
型号:CY62148ELL-45ZSXI
封装:TSOP-32
批号:21+
数量:6000
类别:集成电路(IC) 存储器
制造商:Cypress Semiconductor Corp
系列:MoBL®
Product Status:在售
存储器类型:易失
存储器格式:SRAM
存储容量:4Mb(512K x 8)
存储器接口:并联
写周期时间 - 字,页:45ns
访问时间:45 ns
电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:32-SOIC(0.400",10.16mm 宽)

功能描述

CY62148E是一种高性能CMOS静态RAM,由512K个8位字组成。该器件采用先进的电路设计,提供超低的待机电流。这是在便携式应用程序中提供更长电池寿命(MoBL)的理想选择。该设备还具有自动断电功能,可在不切换衣服时显著降低功耗。将设备置于待机模式可在选择(CE高)八个输入和输出引脚(l/OPTO l/O>)时降低99%以上的功耗在取消选择设备(CE高)、禁用输出(OEHIGH)或在激活写入操作(CE低和WELOW)期间,处于高阻抗状态。要写入设备,请将芯片启用(CE)和写入启用(WE)输入设为低。八个l/O引脚上的数据(VO,通过I/Ois,然后写入地址引脚上指定的位置(通过A18)要从设备读取,将芯片启用(CE)和输出(OE)设为低,同时强制写入启用(WE)设为高。在这些条件下,由地址引脚指定的内存位置的内容出现在VO引脚上。CY62148E设备适合与具有TTL IP级别的处理器接口。它不适用于需要CMOS IP级别的处理器。


400-900-8098
工作时间:09:00 - 17:00
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