IRF540NSTRLPBF分立半导体产品晶体管-技术资料
技术参数品牌：infineon型号：IRF540NSTRLPBF封装：TO-263批号：21+数量：25160制造商：Infineon Technologies系列：HEXFET®FET 类型：N 通道25C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：44 毫欧 @ 16A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µAVgs（最大值）：20V功率耗散（最大值）：130W（Tc）工作温度：-55C ~ 175C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB漏源电压（Vdss）：100 V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：71 nC @ 10 V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1960 pF @ 25 V...
技术参数
| 品牌： | infineon |
| 型号： | IRF540NSTRLPBF |
| 封装： | TO-263 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 25160 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 类型： | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 44 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 功率耗散（最大值）： | 130W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss）： | 100 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 71 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 1960 pF @ 25 V |
国际整流器公司的先进HEXFETOPower MOSFET利用先进的加工技术实现极低的导通电阻持续区。这一优势，再加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，为设计者提供了一种在各种应用中使用的极其高效和可靠的器件。D2Pak是一种表面安装的功率封装，能够将尺寸高达HEX-4的管芯商品化。它提供了所有现有表面安装封装中最高的功率能力和最低的导通电阻。D2Pak适用于大电流应用，因为它的内部连接电阻低，在典型的表面安装应用中可以耗散高达2.0W。通孔版本（IRF540NL）可用于薄型应用。
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