Login
欢迎光临太航半导体

BR24A02FJ-WME2存储器集成电路IC-型号参数

技术参数品牌:ROHM/罗姆型号:BR24A02FJ-WME2封装:SOP8批号:20+数量:50000制造商:Rohm Semiconductor系列:Automotive, AEC-Q100存储器类型:非易失存储器格式:EEPROM存储容量:2Kb(256 x 8)存储器接口:I²C写周期时间 - 字,页:5ms电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V工作温度:-40C ~ 105C(TA)安装...

BR24A02FJ-WME2.png

技术参数

品牌:ROHM/罗姆
型号:BR24A02FJ-WME2
封装:SOP8
批号:20+
数量:50000
制造商:Rohm Semiconductor
系列:Automotive, AEC-Q100
存储器类型:非易失
存储器格式:EEPROM
存储容量:2Kb(256 x 8)
存储器接口:I²C
写周期时间 - 字,页:5ms
电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
时钟频率:400 kHz

概述:

BR24Axxx WM是一种I2C总线接口方式的串行EEPROM。

功能:

  • 完全符合世界标准I2C总线。
  • 2个串行时钟端口提供的所有控制(SCL)和串行数据(SDA)
  • 宽温度范围-40℃至+105℃
  • EEPROM以外的其他设备可以连接到相同端口,节省微控制器端口
  • 2.5V至5.5V单电源操作最多适用于电池
  • 页面写入模式可用于初始值写入工厂发运
  •  数据重写时的自动擦除和自动结束功能
  • 低电流消耗
    • 写入操作时(5V):1.2mA(典型值)*1
    • 读取操作时(5V):0.2mA(典型值)
    • 待机状态(5V):0.1μA(典型值)
  • 写入错误预防功能
    • 添加了写入(写保护)功能
    • 在低电压下写入防错功能
  • 数据重写次数高达1000000次(Ta≤25℃)
  • 数据保存40年(Ta≤25℃)
  • SCL/SDA终端内置噪声滤波器
  • 发货数据所有地址FFh
  • 包装W(典型)x D(典型)×H(最大)
  • 1个BR24A32-mm,BR24A



400-900-8098
工作时间:09:00 - 17:00
产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
24小时在线客服
24小时热线电话

添加微信咨询

添加微信咨询

添加微信咨询