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SQJ488EP-T1_BE3原装现货视频拍摄

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    技术参数

    品牌:VISHAY/威世
    型号:SQJ488EP-T1_BE3
    封装:POWERPAKSO
    批号:22+
    数量:23655
    制造商:Vishay
    产品种类:MOSFET
    RoHS:
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8-4
    晶体管极性:N-Channel
    通道数量:1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压:100 V
    Id-连续漏极电流:42 A
    Rds On-漏源导通电阻:17.6 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
    Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
    Qg-栅极电荷:27 nC
    最小工作温度:- 55 C
    最大工作温度:+ 175 C
    Pd-功率耗散:27 W
    通道模式:Enhancement
    下降时间:4.6 ns
    上升时间:11 ns
    系列:SQJ488EP
    晶体管类型:20 ns
    典型关闭延迟时间:4 ns
    典型接通延迟时间:SQJ488EP-T1_GE3


    400-900-8098
    工作时间:09:00 - 17:00
    产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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