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类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | |
制造商 | Diodes Incorporated | |
系列 | - | |
包装 | 卷带（TR） | |
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 60 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A（Ta） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 1.8A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.2 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 166 pF @ 40 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | SOT-23-3 | |
封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | |
基本产品编号 | ZXMN6A07 |
这种MOSFET采用了一种独特的结构，结合了这些优点低导通电阻，开关速度快，非常适合高效电源管理应用程序。
A1363LLUTR-1-T磁性传感器 - 线性，罗盘（IC）现货视频
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