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STM32F103C8T6微控制器技术资料

STM32F103xx中密度高性能系列集成了以72 MHz频率运行的高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核、高速嵌入式内存(闪存高达128 KB,SRAM高达20 KB),以及连接到两条APB总线的广泛增强I/O和外围设备。所有设备都提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器,以及标准和高级通信接口:最多两个I2C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。...

STM32F103xx中密度高性能系列集成了以72 MHz频率运行的高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核、高速嵌入式内存(闪存高达128 KB,SRAM高达20 KB),以及连接到两条APB总线的广泛增强I/O和外围设备。所有设备都提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器,以及标准和高级通信接口:最多两个I2C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。

这些设备的工作电压为2.0至3.6伏。它们在-40至+85°C温度范围和-40至+105°C扩展温度范围内都可用。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用程序。

STM32F103xx中等密度性能线系列包括六种不同封装类型的设备:从36针到100针。根据所选的设备,包括不同的外围设备集,下面的描述概述了此系列中建议的所有外围设备。

这些特点使STM32F103xx中密度高性能系列微控制器系列适用于广泛的应用,例如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外围设备、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVAC。


所有功能

ARM®32位Cortex®-M3 CPU内核

72 MHz最大频率,1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)性能,0等待状态内存访问

单周期乘法和硬件除法

64或128 KB闪存

20 KB SRAM

时钟、重置和电源管理

2.0至3.6 V应用电源和I/O

POR、PDR和可编程电压检测器(PVD)

4至16 MHz晶体振荡器

内部8 MHz工厂修整RC

内部40 kHz RC

CPU时钟的PLL

带校准的RTC 32 kHz振荡器

低功率

睡眠、停止和待机模式

RTC和备份寄存器的VBAT电源

2 x 12位1μs A/D转换器(最多16个通道)

转换范围:0至3.6 V

双重取样和保持能力

温度传感器

DMA公司

7通道DMA控制器

400-900-8098
工作时间:09:00 - 17:00
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