技术参数
| 品牌： | ADESTO |
| 型号： | AT45DB081E-SSHN-B |
| 封装： | SOP8 |
| 批号： | 2209+ |
| 数量： | 6791 |
| 类别： | 集成电路（IC） 存储器 |
| 制造商： | Adesto Technologies |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 存储器格式： | 闪存 |
| 存储容量： | 8Mb（264 字节 x 4096 页） |
| 存储器接口： | SPI |
| 时钟频率： | 85 MHz |
| 写周期时间 - 字，页： | 8µs，4ms |
| 电压 - 供电： | 1.7V ~ 3.6V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C（TC） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
AT45DB081E是最小1.7 V的串行接口顺序存取闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB081E还支持RapidS串行接口，适用于需要高速操作的应用。其8650752位内存为组织为4096页，每页256字节或264字节。除了主存储器，AT45DB081E还包含两个每个256/264字节的SRAM缓冲器。缓冲区允许在主页面中接收数据内存正在重新编程。两个缓冲区之间的交错可以显著提高系统的写入连续数据流。SRAM缓冲器也可用作附加的系统暂存存储器，E2 PROM仿真（位或字节可变）可以通过自包含的三步读取轻松处理-修改写入操作。与使用多条地址线和并行线随机访问的传统闪存不同DataFlash®使用串行接口顺序访问其数据。简单的顺序访问显著减少了活动引脚数，简化了硬件布局，提高了系统可靠性并且减小封装尺寸。该设备经过优化，可用于许多商业和工业领域高密度、低引脚数、低电压和低功耗是必不可少的应用。为了实现简单的系统内重新编程，AT45DB081E不需要高输入电压编程。该设备在单个1.7 V至3.6 V电源下工作，用于擦除、编程和读取操作。AT45DB081E通过芯片选择引脚（CS）启用，并通过三线接入由串行输入（SI）、串行输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的接口。所有编程和擦除周期均为自计时。
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