技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | FM24CL04B-G |
| 封装： | 8-SOIC |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 8000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | F-RAM |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-8 |
| 存储容量： | 4 kbit |
| 接口类型： | I2C |
| 电源电压-最小： | 2.7 V |
| 电源电压-最大： | 3.65 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 85 C |
| 系列： | FM24CL04B-G |
| 湿度敏感性： | Yes |
| 工作电源电压： | 3.3 V |
功能说明：
FM24CL04B是采用先进铁电工艺的4K位非易失性存储器。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，并且与RAM类似地执行读取和写入。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，FM24CLO4B以总线速度执行命令写入操作。没有发生写入延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入内存阵列。下一个总线周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供了实质性的写入耐久性。此外，F-RAM在写入期间表现出比EEPROM低得多的功率，因为写入操作不需要用于写入电路的整数提升的电源电压。FM24CL04B能够支持1014个读/写周期，即比EEPROM多1亿倍的写周期。这些功能使FM24CL04B非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。例如，从数据记录（写入周期的数量可能很关键）到要求苛刻的工业控制（EEPROM的长写入时间可能会导致数据丢失）。这些功能的结合允许更频繁的数据写入，而系统的开销更少。FM24CL04B为串行1C）EEPROM的用户提供了实质性的好处，作为硬件的替代品。设备规格在-40℃至+85℃的工业温度范围内得到保证。
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