Login
欢迎光临太航半导体

IS62C25616BL-45TLI静态随机存取存储器-型号参数

技术参数品牌:ISSI型号:IS62C25616BL-45TLI数量:135制造商:ISSI产品种类:静态随机存取存储器RoHS:是存储容量:4 Mbit组织:256 k x 16访问时间:45 ns接口类型:Parallel电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:4.5 V电源电流—最大值:20 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-44存储类型:SDR系列:IS62C25616BL类型:Asynchronous商标:ISSI湿度敏感性:Yes产品类型:SRAM工厂包装数量:135子类别:Memory & Data Storage单位重量:470 mg...

IS62C25616BL-45TLI.png

技术参数

品牌:ISSI
型号:IS62C25616BL-45TLI
数量:135
制造商:ISSI
产品种类:静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:4 Mbit
组织:256 k x 16
访问时间:45 ns
接口类型:Parallel
电源电压-最大:5.5 V
电源电压-最小:4.5 V
电源电流—最大值:20 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-44
存储类型:SDR
系列:IS62C25616BL
类型:Asynchronous
商标:ISSI
湿度敏感性:Yes
产品类型:SRAM
工厂包装数量:135
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:470 mg
ISSI IS62C25616BL和IS65C25616BL是高速4194304位静态RAM,由262144个字乘16位组成。它们是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这一高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,以低功耗产生高达12ns的访问时间。当CE为HIGH(取消选择)时,设备采用待机模式,在该模式下,功耗可以随着CMOS输入电平而降低。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE,可以轻松扩展内存。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许高位字节(UB)和低位字节(LB)访问。IS62C25616BL和IS65C25616BL封装在JEDEC标准44引脚TSOP(II型)中。



400-900-8098
工作时间:09:00 - 17:00
产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
24小时在线客服
24小时热线电话

添加微信咨询

添加微信咨询

添加微信咨询