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AT45DB161D-SU集成电路(IC) 存储器技术资料

技术参数品牌:MICROCHIP型号:AT45DB161D-SU封装:SOP8批号:21+数量:6000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)类别:集成电路(IC)产品族:存储器存储器类型:非易失存储器格式:闪存存储容量:16Mb (528 字节 x 4096 页)存储器接口:SPI...

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技术参数

品牌:MICROCHIP
型号:AT45DB161D-SU
封装:SOP8
批号:21+
数量:6000
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
类别:集成电路(IC)
产品族:存储器
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
存储容量:16Mb (528 字节 x 4096 页)
存储器接口:SPI
时钟频率:66MHz
写周期时间 - 字,页:6ms
电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)

AT45DB161D是2.5V或2.7V串行接口顺序存取闪存非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储-年龄应用。AT45DB161D支持RapidS串行接口需要非常高速的操作。RapidS串行接口与SPI兼容频率高达66MHz。其17301504位内存被组织为4096每页512字节或528字节。除了主存储器之外AT45DB161D还包含两个SRAM缓冲区,每个缓冲区为512-/528字节。缓冲区允许在主存储器中的页面被重新编程时接收数据,以及写入连续数据流。EEPROM仿真(位或字节可变-ity)很容易用自包含的三步读-修改-写来处理活动与使用多条地址线和一个Adesto DataFlash®使用RapidS串行接口顺序访问其数据。简单的顺序存取极大地减少了活动管脚数,最小化开关噪声并减小封装尺寸。该设备经过优化,可用于许多商业和高密度、低引脚数、低电压和低功耗是必不可少的工业应用。为了允许简单的系统内重新编程,AT45DB161D不需要高输入电压编程。对于两个程序,设备均使用2.5V至3.6V或2.7V至3.6V的单一电源运行和读取操作。AT45DB161D通过芯片选择引脚(CS)启用,并通过三线接入由串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)组成的接口。所有编程和擦除周期均为自计时

400-900-8098
工作时间:09:00 - 17:00
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