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IRLR9343TRPBF分立半导体产品 晶体管-技术资料

技术参数品牌:INFINEON型号:IRLR9343TRPBF封装:TO-252批号:15+数量:2000类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商:Infineon Technologies系列:HEXFET®FET 类型:P 通道漏源电压(Vdss):55 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):105 毫欧 @ 3.4A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):47 nC @ 10 VVgs(最大值):20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):660 pF @ 50 V功率耗散(最大值):79W(Tc)工作温度:-40C ~ 175C(TJ)安装类型:表面贴装型封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63...

IRLR9343TRPBF.png

技术参数

品牌:INFINEON
型号:IRLR9343TRPBF
封装:TO-252
批号:15+
数量:2000
类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商:Infineon Technologies
系列:HEXFET®
FET 类型:P 通道
漏源电压(Vdss):55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):105 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):47 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):660 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):79W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
这个数字音频HEXFET“专门设计用于D类音频放大器的无源化。该MosFET采用了最新的处理技术,以实现每个硅区域的低导通电阻。此外,栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化,以提高D类音频放大器的关键性能因素,如效率、THD和EMl。该MosMOSFET的其他特性为175'CΩ工作结温度和相应的雪崩能力。这些特性结合起来使Mog-E非常有效。适用于D类音频放大器的坚固可靠的设备。


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