STD4NK60ZT4分立半导体产品晶体管-技术资料
技术参数品牌：STM型号：STD4NK60ZT4封装：TO-252-3 (DPAK)批号：21+/22+数量：20000类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商：STMicroelectronics系列：SuperMESH™FET 类型：N 通道漏源电压（Vdss）：600 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 2A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：26 nC @ 10 VVgs（最大值）：30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：510 pF @ 25 V功率耗散（最大值）：70W（Tc）工作温度：150C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63...
技术参数
| 品牌： | STM |
| 型号： | STD4NK60ZT4 |
| 封装： | TO-252-3 (DPAK) |
| 批号： | 21+/22+ |
| 数量： | 20000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | SuperMESH™ |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 26 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 510 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值）： | 70W（Tc） |
| 工作温度： | 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
这些高压器件是采用STMicroelectronics公司的SuperME SH N技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET，这是对成熟的PowerMESH w的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件的设计可确保高水平的dv/dt性能，以满足最苛刻的应用。
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