技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IPW65R110CFDA |
| 封装： | TO-247 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 650 V |
| Id-连续漏极电流： | 31.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 99 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 118 nC |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 277.8 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 21.1 mm |
| 长度： | 16.13 mm |
| 系列： | CoolMOS CFDA |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 5.21 mm |
| 下降时间： | 6 ns |
| 上升时间： | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 68 ns |
| 典型接通延迟时间： | 16 ns |
| 零件号别名： | IPW65R110CFDAFKSA1 SP000895236 IPW65R11CFDAXK IPW65R110CFDAFKSA1 |
| 单位重量： | 38 g |
650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求，还集成快速体二极管。
特征描述
- 市场首款 650V 汽车应用技术，集成体二极管
- 硬换向期间限制电压过冲——自限制 di/dt 和 dv/dt
- 低栅极电荷值 Q g
- 体二极管重复换向 Q rr 低且 Q oss 低
- 减少导通和关断延迟时间
- 符合 AEC Q101 标准
优势
- 阻断电压更高，提高安全裕度
- 降低电磁干扰，易于设计导入
- 提高轻载效率
- 开关损耗低
- 开关频率更高并且/或者占空比更高
- 高质量和可靠性
潜在应用
- 单向和双向直流-直流转换器
- 电池充电器
- HID 照明
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