技术参数
| 品牌： | MICRON |
| 型号： | MT41K512M16HA-125:A |
| 封装： | BGA |
| 批号： | 1752+ |
| 数量： | 1 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 3（168 小时） |
| 类别： | 集成电路（IC） |
| 产品族： | 存储器 |
| 存储器类型： | 易失 |
| 存储器格式： | DRAM |
| 存储容量： | 8Gb （512M x 16） |
| 存储器接口： | 并联 |
| 时钟频率： | 800MHz |
| 访问时间： | 13.5ns |
| 电压 - 电源： | 1.283V ~ 1.45V |
| 工作温度： | 0°C ~ 95°C（TC） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
描述：
DDR3L（1.35V）SDRAM是DDR3（1.5V）SDRAM。请参阅DDR3（1.5V）SDRAM在1.5V兼容模式下运行时的数据表规格。
特征：
VDD=VDDQ=1.35伏（1.283–1.45伏）
向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V–支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容
差分双向数据选通
8n位预取架构
差分时钟输入（CK、CK#）
8家内部银行
标称和动态管芯端接（ODT）用于数据、选通和屏蔽信号
可编程CAS（READ）延迟（CL）
可编程发布的CAS附加延迟（AL）
可编程CAS（写入）延迟（CWL）
固定突发长度（BL）为8，突发斩波（BC）为4（通过模式寄存器组[MRS]）
可随时选择BC4或BL8（OTF）
自刷新模式
温度为95°C–64ms，8192次循环刷新，最高85°C–32ms，8192次循环刷新，温度>85°C至95°C
自刷新温度（SRT）
自动自刷新（ASR）
写入均衡
多用途寄存器
输出驱动器校准
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