技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | NTJD4001NT1G |
| 封装： | SOT-363 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 5500 |
| 制造商： | onsemi |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SC-88-6 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 250 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 800 mV |
| Qg-栅极电荷： | 900 pC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 272 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 下降时间： | 82 ns |
| 正向跨导 - 最小值： | 80 mS |
| 高度： | 0.9 mm |
| 长度： | 2 mm |
| 上升时间： | 23 ns |
| 系列： | NTJD4001N |
| 晶体管类型： | 94 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 17 ns |
| 典型接通延迟时间： | 1.25 mm |
| 宽度： | 290 mg |
特征
•用于快速切换的低栅极电荷
•占地面积小−比TSOP−6小30%
•ESD保护门
•AEC Q101合格−NVTJD4001N
•这些设备不含铅，符合RoHS标准
应用
•低侧负载开关
•锂离子电池供电设备-手机、PDA、DSC
•降压转换器
•电平转换
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