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IRLML5203TRPBF电池和负载管理应用-行业资讯

技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IRLML5203TRPBF封装:SOT-23批号:22+数量:99999制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:3 ARds On-漏源导通电阻:165 mOhmsVgs...

IRLML5203TRPBF.png

技术参数

品牌:INFINEON/英飞凌
型号:IRLML5203TRPBF
封装:SOT-23
批号:22+
数量:99999
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:3 A
Rds On-漏源导通电阻:165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:9.5 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.25 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
高度:1.1 mm
长度:2.9 mm
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:1.3 mm
单位重量:8 mg

描述:这些P沟道MOSFET电路采用了先进的预处理技术,以实现每硅面积的极限lawan电阻。这一优势为设计人员提供了一种极为高效的设备,广泛用于电池和负载管理应用。标准SOT-23封装中加入了热增强大焊盘引线框,以生产出业界占地面积最小的HEXFET功率MOSFET。该封装被称为Micro3t,非常适合印刷电路板空间昂贵的应用。Micro3的低尺寸(<1.1mm)使其能够轻松适应便携式电子和PCMClA卡等极薄的应用环境。热阻和功耗是最好的。


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