技术参数
| 品牌： | Infineon(英飞凌) |
| 型号： | IPB80N04S4-03 |
| 封装： | NA |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 3.3 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Qg-栅极电荷： | 51 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 94 W |
| 配置： | Single |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 4.4 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 系列： | OptiMOS-T2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.25 mm |
| 下降时间： | 16 ns |
| 上升时间： | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 14 ns |
| 典型接通延迟时间： | 14 ns |
| 零件号别名： | IPB80N04S403ATMA1 SP000671628 IPB8N4S43XT IPB80N04S403ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
特征
•N通道-增强模式
•AEC合格
•MSL1最高260°C峰值回流
•175°C工作温度
•绿色产品（符合RoHS标准）
•100%雪崩测试
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