技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | FDD18N20LZ |
| 封装： | TO-252 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 7500 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 16 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 125 mOhms |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 89 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.39 mm |
| 长度： | 6.73 mm |
| 系列： | FDD18N20LZ |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 单位重量： | 260.370 mg |
特征：
•在VGS=10 V，ID=8 A时，RDS（开）=125 m（典型）
•低栅极电荷（典型值30 nC）
•低CRSS（典型值25 pF）
•100%雪崩测试
•提高dv/dt能力
•ESD改进能力
•这些设备不含铅，符合RoHS标准
应用：
•LED电视
•家用电器
•不间断电源
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