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NTR4003NT1G分立半导体产品晶体管-技术资料

技术参数品牌:ON/安森美型号:NTR4003NT1G封装:SOT-23批号:22+数量:99999类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商:onsemiFET 类型:N 通道漏源电压(Vdss):30 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1.15 nC @ 5 VVgs(最大值):20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):21 pF @ 5 V功率耗散(最大值):690mW(Ta)工作温度:-55C ~ 150C(TJ)安装类型:表面贴装型封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3...

NTR4003NT1G.png

技术参数

品牌:ON/安森美
型号:NTR4003NT1G
封装:SOT-23
批号:22+
数量:99999
类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商:onsemi
FET 类型:N 通道
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1.15 nC @ 5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):21 pF @ 5 V
功率耗散(最大值):690mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

特征

•低栅极电压阈值(VGS(TH)),以促进驱动电路设计

•用于快速切换的低栅极电荷

•ESD保护门

•SOT−23封装提供卓越的热性能

•最小击穿电压额定值为30 V

•汽车和其他需要NVR前缀的应用独特的现场和控制变更要求;AEC−第101季度合格且具备PPAP能力

•这些设备不含铅,符合RoHS标准

应用

•笔记本:

♦ 移位器

♦ 逻辑开关

♦ 低侧负载开关


400-900-8098
工作时间:09:00 - 17:00
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